STRUCTURAL PROPERTIES OF THE PD-SI INTERFACE: AN INVESTIGATION BY REFLECTION HIGH ENERGY ELECTRON DIFFRACTION = PROPRIETES STRUCTURALES DE L'INTERFACE PD-SI: UNE ETUDE PAR DIFFRACTION EN REFLEXION D'ELECTRONS DE HAUTE ENERGIEOUSTRY A; BERTY J; CAUMONT M et al.1982; THIN SOLID FILMS; ISSN 0040-6090; CHE; DA. 1982; VOL. 97; NO 4; PP. 295-300; BIBL. 16 REF.Article

FORMATION OF MOSI₂ BY PULSED ELECTRON BEAM IRRADIATION ONTO A VAPOR DEPOSITED MOLYBDENUM/SILICON STRUCTURE = FORMATION DE MOSI₂ PAR IRRADIATION AVEC UN FAISCEAU D'ELECTRONS EN IMPULSIONS SUR UNE STRUCTURE MOLYBDENE/SILICIUM DEPOSEE EN PHASE VAPEURSUZUKI S.1983; APPLIED PHYSICS LETTERS; ISSN 0003-6951; USA; DA. 1983; VOL. 42; NO 9; PP. 797-799; BIBL. 7 REF.Article

COMPETING AMBIENT EFFECTS ON THE INTERDIFFUSION IN PT/NI/AL FILMS = EFFETS D'AMBIANCE EN COMPETITION SUR L'INTERDIFFUSION DANS LES COUCHES MINCES PT/NI/ALCHIN AN CHANG.1982; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1982; VOL. 53; NO 10; PP. 7088-7091; BIBL. 9 REF.Article

LOW ENERGY ELECTRON LOSS SPECTROSCOPIC STUDY OF PD-SI (111) SYSTEM = ETUDE PAR SPECTROSCOPIE DE PERTE POUR DES ELECTRONS DE BASSE ENERGIE DU SYSTEME PD-SI (111)OKUNO K; ITO T; IWAMI M et al.1982; SOLID STATE COMMUNICATIONS; ISSN 0038-1098; USA; DA. 1982; VOL. 44; NO 2; PP. 209-212; BIBL. 9 REF.Article

SOLID-PHASE REACTIONS OF A POLYCRYSTALLINE SILICON FILM WITH A OVERLAPPING ALUMINUM FILM = REACTIONS EN PHASE SOLIDE D'UNE COUCHE MINCE POLYCRISTALLINE DE SI AVEC UNE COUCHE MINCE D'ALUMINIUM L'ENVELOPPANTFUKUDA Y; KOHDA S.1983; APPLIED PHYSICS LETTERS; ISSN 0003-6951; USA; DA. 1983; VOL. 42; NO 1; PP. 68-70; BIBL. 6 REF.Article

VALENCE PHOTOEMISSION STUDY OF TEMPERATURE DEPENDENT REACTION PRODUCTS IN NI-SI INTERFACES AND THIN FILMS = ETUDE PAR PHOTOEMISSION DE VALENCE DES PRODUITS DE LA REACTION DEPENDANT DE LA TEMPERATURE DANS LES INTERFACES NI-SI ET LES COUCHES MINCESABBATI I; BRAICOVICH L; DE MICHELIS B et al.1982; SOLID STATE COMMUNICATIONS; ISSN 0038-1098; USA; DA. 1982; VOL. 43; NO 3; PP. 199-202; BIBL. 22 REF.Article

ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF THIN NI₂SI, NISI, AND NISI₂ LAYERS GROWN ON SILICON = CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE COUCHES MINCES NI₂SI, NISI, ET NISI₂ SUR DU SILICIUMCOLGAN EG; MAENPAA M; FINETTI M et al.1983; JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS; ISSN 0361-5235; USA; DA. 1983; VOL. 12; NO 2; PP. 413-422; BIBL. 16 REF.Article

EFFECTS OF TITANIUM LAYER AS DIFFUSION BARRIER IN TI/PT/AU BEAM LEAD METALLIZATION ON POLYSILICON = EFFETS D'UNE COUCHE DE TITANE COMME BARRIERE DE DIFFUSION DANS LA METALLISATION PAR FAISCEAU DE TI/PT/AU SUR DU SILICIUM POLYCRISTALLINKANAMORI S; SUDO H.1982; IEEE TRANS. COMPON. HYBRIDS MANUF. TECHNOL.; ISSN 0148-6411; USA; DA. 1982; VOL. 5; NO 3; PP. 318-321; BIBL. 8 REF.Article

AN ON SI(111): A STUDY OF THE INTERFACE UNDER UHV CONDITIONS AND ITS MODIFICATIONS IN AIR BY SURFACE TECHNIQUES AND MEV ION SCATTERING = OR SUR SI(111): UNE ETUDE DE L'INTERFACE DANS DES CONDITIONS D'ULTRAVIDE ET DE SES MODIFICATIONS A L'AIR PAR DES TECHNIQUES DE SURFACE ET PAR DIFFUSION D'IONS D'ENERGIE DE L'ORDRE DE MEVDERRIEN J; COHEN C; CROS A et al.1981; APPL. PHYS. LETT.; ISSN 0003-6951; NLD; DA. 1981; VOL. 39; NO 11; PP. 915-917; BIBL. 17 REF.Article

LOW TEMPERATURE REACTIONS AT SI-METAL CONTACTS: FROM SIO₂ GROWTH DUE TO SI-AU REACTION TO THE MECHANISM OF SILICIDE FORMATION = REACTIONS A BASSE TEMPERATURE AUX CONTACTS METAL-SI: DE LA CROISSANCE DE SIO₂ DUE A LA REACTION SI-AU AU MECANISME DE FORMATION DU SILICIUREHIRAKI A.1983; JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS; ISSN 0021-4922; JPN; DA. 1983; VOL. 22; NO 4; PP. 549-562; BIBL. 42 REF.Article

EFFECT OF HYDROGEN ON THE GROWTH KINETICS OF PD₂SI = EFFET DE L'HYDROGENE SUR LA CINETIQUE DE CROISSANCE DE PD₂SIBARBARINO AE; COSTANZO E.1981; THIN SOLID FILMS; ISSN 0040-6090; CHE; DA. 1981; VOL. 81; NO 1; PP. 35-38; BIBL. 9 REF.Article

EFFECTS OF ION-IMPLANTATION-INDUCED DAMAGES AND IMPURITY ON PLATINUM SILICIDE FORMATION = EFFETS DES DOMMAGES INDUITS PAR IMPLANTATION D'IONS ET DES IMPURETES SUR LA FORMATION DU SILICIURE DE PLATINEMASHIKO Y; KOYAMA H; KAWAZU S et al.1982; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1982; VOL. 53; NO 9; PP. 6144-6147; BIBL. 8 REF.Article

LIGHT-FLASH INDUCED METALLIC SILICIDES FROM TITANIUM FILMS ON SILICON = SILICIURES METALLIQUES INDUITS PAR FLASH LUMINEUX A PARTIR DE COUCHES MINCES DE TITANE SUR DU SILICIUMJUH TZENG LUE; YUEN CHUNG LIU; WEI JIUN SHEN et al.1981; APPL. PHYS. LETT.; ISSN 0003-6951; USA; DA. 1981; VOL. 38; NO 5; PP. 372-374; BIBL. 11 REF.Article

IMPURITY EFFECT IN MOLYBDENUM SILICIDE FORMATION = EFFET D'IMPURETES DANS LA FORMATION DU SILICIURE DE MOLYBDENENAVA F; MAJNI G; CANTONI P et al.1982; THIN SOLID FILMS; ISSN 0040-6090; CHE; DA. 1982; VOL. 94; NO 1; PP. 59-65; BIBL. 19 REF.Article

SILICIDES OF RUTHENIUM AND OSMIUM: THIN FILM REACTIONS, DIFFUSION, NUCLEATION, AND STABILITY = SILICIURES DE RUTHENIUM ET D'OSMIUM: REACTION DE COUCHES MINCES, DIFFUSION GERMINATION ET STABILITEPETERSSON CS; BAGLIN JEE; DEMPSEY JJ et al.1982; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1982; VOL. 53; NO 7; PP. 4866-4883; BIBL. 50 REF.Article

SUPERCONDUCTING TRANSITION TEMPERATURES OF THIN V₃SI LAYERS FORMED BY THE INTERACTION OF V FILMS WITH THINLY OXIDIZED SI WAFERS = TEMPERATURES DE TRANSITION SUPRACONDUCTRICE DE COUCHES MINCES DE V₃SI FORMEES PAR L'INTERACTION DE COUCHES MINCES DE VANADIUM AVEC DES MORCEAUX DE SI FINEMENT OXYDESOYA GI; INABE H; ONODERA Y et al.1982; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1982; VOL. 53; NO 2; PP. 1115-1121; BIBL. 17 REF.Article

COMPOUNDS IN THE PD-SI AND PT-SI SYSTEM OBTAINED BY ELECTRON BOMBARDMENT AND POST-THERMAL ANNEALING = COMPOSES DANS LES SYSTEMES PD-SI ET PT-SI OBTENUS PAR BOMBARDEMENT ELECTRONIQUE ET POST-RECUIT THERMIQUEMAJNI G; NAVA F; OTTAVIANI G et al.1981; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1981; VOL. 52; NO 6; PP. 4055-4061; BIBL. 11 REF.Article

LOW TEMPERATURE GETTERING OF CU, AG, AND AU ACROSS A WAFER OF SI BY AL = PIEGEAGE A BASSE TEMPERATURE DE CU, AG ET AU PAR AL A TRAVERS UNE PASTILLE DE SITHOMPSON RD; TU KN.1982; APPL. PHYS. LETT.; ISSN 0003-6951; USA; DA. 1982; VOL. 41; NO 5; PP. 440-442; BIBL. 14 REF.Article

STRUCTURES D'INTERFACES METAL-SEMICONDUCTEUR EN FORMATION = STRUCTURES OF FORMING METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACESBOLMONT DOMINIQUE.1982; ; FRA; DA. 1982; 296 P.; 30 CM; BIBL. 5 P.; TH.: SCI. PHYS./PARIS 6/1982Thesis

A SIMPLE ANALYSIS OF INERT MARKER MOTION IN A SINGLE COMPOUND LAYER FOR SOLID-PHASE EPITAXY AND FOR BINARY DIFFUSION COUPLES = ANALYSE SIMPLE DU MOUVEMENT DE MARQUEURS INERTES DANS UNE COUCHE D'UN SEUL COMPOSE POUR L'EPITAXIE EN PHASE SOLIDE ET POUR LES COUPLES DE DIFFUSION BINAIRESGOSELE U; TU KN; THOMPSON RD et al.1982; JOURNAL OF APPLIED PHYSICS; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1982; VOL. 53; NO 12; PP. 8759-8764; BIBL. 21 REF.Article

INTERDIFFUSION AND COMPOUND FORMATION IN THE C-SI/PTSI/(TI-W)/AL SYSTEM = INTERDIFFUSION ET FORMATION DE COMPOSES DANS LE SYSTEME SI CRISTALLIN/PTSI/(TI-W)/ALCANALI C; CELOTTI G; FANTINI F et al.1982; THIN SOLID FILMS; ISSN 0040-6090; CHE; DA. 1982; VOL. 88; NO 1; PP. 9-23; BIBL. 18 REF.Article

THE EFFECT OF NITROGEN AT THE PT-SI INTERFACE ON THE GROWTH OF PLATINUM SILICIDES = EFFET DE L'AZOTE A L'INTERFACE PT-SI SUR LA CROISSANCE DE SILICIURES DE PLATINEJOUBERT P; AUVRAY P; HENRY L et al.1981; THIN SOLID FILMS; ISSN 0040-6090; CHE; DA. 1981; VOL. 79; NO 3; PP. 235-249; BIBL. 38 REF.Article

THE OXYGEN EFFECT IN THE GROWTH KINETICS OF PLATINUM SILICIDES = EFFET DE L'OXYGENE SUR LA CINETIQUE DE CROISSANCE DES SILICIURES DE PLATINENAVA F; VALERI S; MAJNI G et al.1981; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1981; VOL. 52; NO 11; PP. 6641-6646; BIBL. 15 REF.Article

INITIAL STAGE OF ROOM-TEMPERATURE METAL-SILICIDE FORMATION STUDIED BY HIGH-ENERGY HE⁺-ION SCATTERING = STADE INITIAL DE LA FORMATION DE SILICIURE METALLIQUE A TEMPERATURE AMBIANTE ETUDIEE PAR DIFFUSION D'IONS HE⁺ DE HAUTE ENERGIENARUSAWA T; GIBSON WM; HIRAKI A et al.1981; PHYS. REV. B; ISSN 0163-1829; USA; DA. 1981; VOL. 24; NO 8; PP. 4835-4838; BIBL. 19 REF.Article